如果罪名成立，孙杭将面临以下刑罚，共谋罪最高可判处5年监禁；电信欺诈罪最高可判处20年监禁；未经许可出口技术数据罪最高可判处20年监禁；走私美国商品罪最高可判处10年监禁。法官将根据美国量刑指引及法定因素决定最终刑期。

随着与美国和欧盟的冲突日益频繁，中共自去年起直到最近，先后对多种战略矿产实施了出口限制或禁令。尽管这些限制令在短期内影响了西方公司的供应，但却成了他们积极调整供应链，减少对华依赖的加速器。总的说来，北京将关键矿物武器化，为自己带来了三大困境。

图为中共国最大的半导体芯片代工企业中芯国际公司位于上海的总部。(VCG/VCG via Getty Images)拜登政府12月2日宣布最新禁令，限制对中共出售尖端半导体制造设备和高带宽电脑内存，涉及用于生产先进节点半导体。中共3日宣布禁止向美国出口具有军事用途的关键矿物出口。专...

中国商务部星期二（12月3日）宣布禁止向美国出口包括镓、锗、锑在内的一些军民两用矿物质。此举被普遍视为对美国政府前一天出台第三波对华半导体出口禁限制措施的报复行动。根据《中华人民共和国出口管制法》等法律法规有关规定，为维护国家安全和利益、履行防扩散等国际义务，决定加强相关两用物项...

拜登政府星期一(12月2日)宣布对中国实施新一轮出口管制，限制向中国出售尖端半导体制造设备和高带宽电脑内存。新规定禁止销售24种不同设备和三种不同的软件工具，所有这些是用于生产先进节点半导体，即市场上最快、最效率的芯片。美国商务部工业和安全局宣布的出口管制还限制高带宽存储器产品的...

华盛顿方面12月2日宣布对向包括芯片设备制造商北方华创、拓荆科技和新凯来在内的140家公司出口进行出口管制，此次限制计划还瞄准了出口到中国的先进存储芯片和更多芯片制造工具。美国周一对中国半导体行业发起了三年来第三轮打击，对向包括芯片设备制造商北方华创在内的140家公司进行出口管制...

美国商会在周四的一封电子邮件中告诉其成员，拜登政府最快将于下周公布新的对华出口限制措施。根据路透社周五看到的一份摘录，这个总部设在华盛顿的强大游说团体在邮件中称，新规定可能会将多达200家中国芯片公司列入贸易限制清单，禁止大多数美国供应商向目标公司发货。根据这封邮件，负责监督出口...

美国为了确保对华为等被列入其出口黑名单的中国公司落实相关管制措施，正在亚洲各地加强执行力道，包括去年首度派驻1名区域出口管制官到台湾。日经亚洲（Nikkei Asia）报道，美国商务部的工业暨安全局（BIS）负责台湾、韩国与日本的区域出口管制官林安杰（Ariel Joshua L...

路透根据大陆海关总署最新数据计算，今年第3季大陆进口曝光设备（光刻设备）总值33.7亿美元（约新台币1,080亿元），较前季大增近六成，创有海关统计数据以来的最大单季值，年增7.5%。分析指出，在美国发布新一轮出口管制措施之前，中国在曝光机的囤货现象有所加剧，创下最大单季进口总额...

据中共官方新华社报道，国务院总理李强日前签署国务院令，公布《中华人民共和国两用物项出口管制条例两用物项出口管制条例》。根据该《条例》定义，两用物项是既可用于民用目的，也可用于军事目的或者有助于提升军事潜力的货物、技术和服务。预计，上述条例将于今年12月1日正式生效。伴随中国近期严...

中共官媒新华社星期六(10月19日)报道称，中国国务院总理李强日前签署了国务院令，公布了所谓的《两用物项出口管制条例》，该条例将于2024年12月1日生效。根据该条例，两用物项是指既有民事用途，又有军事用途或者有助于提升军事潜力，特别是可以用于设计、开发、生产或者使用大规模杀伤性...

周四（10月17日），一名中国公民承认非法将美国技术出口给被美国商务部列入实体清单的中国用户，违反了《国际紧急经济权力法》（IEEPA）和《出口管理条例》（EAR）。美国联邦地区法官威廉‧阿尔苏普（William Alsup）接受了他的认罪。根据美国加州北区检察官办公室周四发布的...

从国会到行政当局，美国最近发起新一轮努力，进一步加强在新兴技术领域对中国的出口管制。继美国商务部工业和安全局(The Commerce Department's Bureau of Industry and Security，BIS))上星期宣布更新量子计算、半导体制造等...

周五（9月6日）拜登政府联合盟友推出针对关键技术的新出口管制措施，包括量子计算和半导体产品，以应对中共、伊朗和俄罗斯等带来的国安威胁。美国商务部于工业和安全局（BIS）发布一项临时最终规则（IFR），对那些已经和国际合作伙伴达成广泛技术协议的关键和新兴技术实施管控。范围涵盖了量子...

总部位于荷兰的ASML是全球最大的先进芯片设备制造商。荷兰政府周五（9月6日）公布新的出口管制规则，将扩大对ASML（阿斯麦）芯片生产设备的出口管制。周五发布的新规适用于ASML较旧型号深紫外侵润式光刻系统（deep ultraviolet immersion lithograp...