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“中国欲提升中芯国际的技术，即便有充足的资金，也并非一朝一夕就能实现”。投资银行香颂资本（Chanson& Co.）董事沉萌（Shen Meng）明确指出，中国半导体业面临的严峻困境。

台积电厂房。图：翻摄自台积电官网（资料照）

彭博社昨（11）日报导指出，自今年初以来，中国规模最大、技术最先进的芯片制造商“中芯国际”股价已跌7.5％，而台湾的台积电股价涨幅，则是达48 ％。两家企业的股价已创下2005年来最大差距。凸显了中国即便积极扶植自己的芯片产业，也面临了技术落后、制造成本等发展上的重重挑战。

技术落后台积电至少两个世代

近年来，中国政府倾全国之力打造自给自足的芯片产线，即便受制于美国的多重限制，仍持续为半导体产业注入大量资金和一系列的补贴；近期，中芯国际在技术上出现曙光，可望突破美国限制，成功制造5nm制程的芯片。

然而，台积电早已于2022下半年透过极紫外光刻机（EUV）来正式量产3nm制程的“FinFET”（鳍式场效电晶体）芯片，并拥有辉达（NVIDIA）、超微（ AMD）、苹果（Apple）等全球知名科技大厂客户。

日前，台积电也在年度北美技术论坛上，公布其自家最新制程 A16技术，也就是2nm制程的强化版，预计2026年量产。台积电指出，其2nm制程的产品组合将与3nm相似，届时仍以高效能运算（HPC）及智慧手机应用等终端应用为主。

然而，由于美国出口管制，中国无法自荷兰的艾司摩尔（ASML）进口 EUV设备。在中芯5nm芯片问世的前几年，其最高技术仅能制造7nm芯片，落后了两个世代。中芯国际可能还需耗时多年，或可能迎头赶上台积电。

为突破美国禁令，中国政府设立了国家集成电路产业投资基金（简称“国家大基金”）三期股份公司，来扶持半导体产业发展。但中国政府未正式公布其相关细节，且能对芯片技术发展带来多大效益，仍是未知。

以DUV生产先进芯片成本贵EUV约六倍

目前，中国华为的5G手机“Mate60 Pro”，其芯片即是透过中芯国际以艾司摩尔的深紫外光刻机（DUV）制造。虽然没有 EUV设备来生产先进的芯片，但业内分析师表示，仍可以透过 DUV沉积和蚀刻设备进行改造，然后生产7nm、甚至更先进的芯片。但改造制程的成本，会比直接使用 EUV昂贵约6倍，在竞争激烈的市场环境中，很难扩大生产规模。

然而，中国政府仍相当愿意承担这一大部分的芯片制造成本。

彭博行业研究分析师查尔斯．岑（Charles Shum）认为，就算中芯国际能够使用5nm技术来生产芯片，但在没有EUV的情况下，成本也会比台积电高出至少10倍，“不仅要在技术的差距缩小至一个水平，还要关乎你能多有效地生产它”。